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Bienvenue dans la collection HAL du groupe CS : Convertisseurs Statiques
Nos activités de recherche couvrent les problématiques principales de la conversion d’énergie électrique et reposent sur la combinaison d’approches théoriques et expérimentales autour de la notion de cellule de commutation.
Le groupe s’est spécialisé dans l’étude de nouvelles structures de convertisseurs multicellulaires de moyenne et de forte puissance (du kW au MW) mettant en jeu des agencements originaux des cellules de commutation imbriquées séries, superposées parallèles et la parallélisation globale ou partielle par des dispositifs innovants de couplages magnétiques.
Types de documents publiés
Sujets
Silicon Carbide SiC
Multilevel converter
Ageing
Power converter
Ultra Violet Generation UV
Silicon compounds
Reliability
CMOS
Power electronics
Robustness
Multilevel converters
MOSFET circuits
Zero voltage switching
Gate-Driver
Decentralized control
Traction
Gate-Aging
DC-DC power convertors
Excimer Lamp
Electric Discharge Power Supply
Photovoltaic hybrid system
Power convertors
Fuel cells
Dielectric Barrier Discharge
SiC MOSFETs
Detection
Failure-Mode
Rail transportation
Bridge circuits
Voltage control
Switching losses
Elemental semiconductors
MOSFET
Substations
Trapping
Hydrogen
DC-DC power converters
Diamond
Thyristor
Power Converters
Short-Circuit
InterCell Transformer ICT
Court-circuit
Power conversion
Wide bandgap semiconductors
Insulated gate bipolar transistors
Power integration
MOSFET SiC
Modelling
Inverter
Choppers circuits
Active Gate Driver
Fuel cell
Design
Gate driver
Distributed control
Interleaved converters
Switching convertors
Capacitors
Medium voltage
Self-switching
Buck converter
Optimisation
Static converter
Electronique de puissance
Renewable energy
Device simulation
Intercell transformers
Railways
Fault tolerance
Silicon carbide
Railway electrification
Coupled inductors
Traction power supplies
Skin effect
Wide band gap semiconductors
GaN
Efficiency
Switches
DBD
IGBT
Monolithic integration
Optimization
Gate-Damage
Driver circuits
Silicon
Electrolyzer
HEMT GaN
Switching frequency
SiC Mosfet
Busbars
SiC MOSFET
Short-circuit
Rail transportation power systems
Power Converter Design
Harmonic interactions
Gate Driver
Protection
2D physical simulation
Power MOSFET
Derniers dépôts
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Lucien Ghizzo, Gérald Guibaud, Christophe de Nardi, François Jamin, Vanessa Chazal, et al.. Localization and Physical Analysis of Defects in Degraded Power HEMT p-GaN Transistors Stressed with DC Voltage Surge and Voltage with Switching Stress. Journal of Failure Analysis and Prevention, 2024, 24 (5), pp.2221-2231. ⟨10.1007/s11668-024-02038-x⟩. ⟨hal-04752825⟩