Self-formation of SiGe oxide, Ge, and void multilayers via thermal oxidation of hydrogenated epitaxial SiGe films - École polytechnique Accéder directement au contenu
Article Dans Une Revue Vacuum Année : 2023

Self-formation of SiGe oxide, Ge, and void multilayers via thermal oxidation of hydrogenated epitaxial SiGe films

Junyang An
  • Fonction : Auteur
Ruiling Gong
  • Fonction : Auteur
Xinyu Li
  • Fonction : Auteur
Ileana Florea
  • Fonction : Auteur
Lise Watrin
Wanghua Chen
Fichier non déposé

Dates et versions

hal-04310652 , version 1 (27-11-2023)

Identifiants

Citer

Junyang An, Ruiling Gong, Xinyu Li, Ileana Florea, Lise Watrin, et al.. Self-formation of SiGe oxide, Ge, and void multilayers via thermal oxidation of hydrogenated epitaxial SiGe films. Vacuum, 2023, 213, pp.112072. ⟨10.1016/j.vacuum.2023.112072⟩. ⟨hal-04310652⟩
6 Consultations
0 Téléchargements

Altmetric

Partager

Gmail Facebook X LinkedIn More